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MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 2 0
-- 8
-- 11
-- 1 4
-- 1 7
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 2 2
-- 1 0
-- 1 3
-- 1 6
-- 1 9
2220
2060
IRL
Gps
13.4
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 10 Watts
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
15.2
15
-- 4 4
32
28
24
20
16
-- 3 2
-- 3 6
-- 4 0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 20 Watts
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
11
17
1
IDQ
= 800 mA
650 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements
15
13
12
10
-- 4 0
-- 1 0
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
-- 2 0
-- 3 0
100
-- 6 0
-- 5 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
14.8
14.6
14.4
14.2
14
13.8
13.6
-- 2 8
VDD=28Vdc,Pout
=10W(Avg.),IDQ
= 500 mA
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
2220
2060 22002080
2100
2120
2140
2160
2180
13
14.8
-- 3 4
46
42
38
34
30
-- 2 2
-- 2 6
-- 3 0
14.4
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
-- 1 8
14.6
IRL
Gps
ACPR
IM3
ηD
VDD=28Vdc,Pout
=20W(Avg.),IDQ
= 500 mA
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
16
14
500 mA
350 mA
200 mA
IDQ
= 200 mA
650 mA
800 mA
500 mA
350 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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